高度集成的GaN IC簡化了小尺寸、高功率密度應(yīng)用的開發(fā)

      納微半導(dǎo)體宣布推出新一代集成GaN功率IC GaNSlim，旨在簡化和加速小尺寸、高功率密度應(yīng)用的開發(fā)。據(jù)稱，GaNSlim通過將驅(qū)動、控制和保護集成在一起，以及集成的EMI控制和無損電流傳感，實現(xiàn)最簡單、最快速和最小的系統(tǒng)設(shè)計，所有這些都在一個高熱性能專有的DPAK-4L封裝中。此外，GaNSlim器件的啟動電流低于10μA，與行業(yè)標準的SOT23-6控制器兼容，并消除了HV啟動。

      無損電流感應(yīng)等集成功能消除了外部電流感應(yīng)電阻器，并優(yōu)化了系統(tǒng)效率和可靠性。過溫保護可確保系統(tǒng)穩(wěn)健性，自動休眠模式可提高輕量化和空載效率。自主導(dǎo)通/關(guān)轉(zhuǎn)換速率控制可最大限度地提高效率和功率密度，同時減少外部元件數(shù)量、系統(tǒng)成本和 EMI。

      GaNSlim采用獲得專利的4引腳、高熱性能、扁平、低電感DPAK封裝。與傳統(tǒng)替代方案相比，該封裝可實現(xiàn)7°C的低溫運行，支持額定功率高達500W的高功率密度設(shè)計。目標應(yīng)用包括移動設(shè)備和筆記本電腦的充電器、電視電源、照明等。

      “我們的GaN重點是集成器件，以最簡單的設(shè)計和盡可能短的上市時間實現(xiàn)高效、高性能的電源轉(zhuǎn)換，”技術(shù)營銷高級經(jīng)理Reyn Zhan說：“我們新的 GaNSlim產(chǎn)品組合 - 建立在集成、易用性和低成本制造方法之上 - 繼續(xù)擴大客戶管道，已經(jīng)確定了 50 多個新項目。”

      NV614x GaNSlim系列器件的額定電壓為700V，RDS（ON）額定值為120mΩ 至330mΩ，并提供針對隔離和非隔離拓撲優(yōu)化的版本。GaNSlim器件提供 20 年質(zhì)保，而用于QR反激式、單級PFC、升壓PFC+QR反激式以及TV電源設(shè)計的演示板可實現(xiàn)快速評估。